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MRAM-Technologie <>
DTXT_TITLE: MRAM-Technologie von IBM und Infineon (MRAM = Magnetic Random Access Memory) (2003)
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BESCHREIBUNG: IBM und Infineon Technologies arbeiten bei der MRAM (Magnetic Random Access Memory)-Technologie zusammen, bei der magnetische Speicherelemente in einen leistungsfähigen Logik-Prozess integriert werden. Auf dem kürzlich in Kyoto abgehaltenen VLSI Symposium präsentierten IBM und Infineon ihren schnellen 128-Kbit-MRAM-Core. Der Chip wurde mit einem 0,18-µm-Logikprozess gefertigt, den für MRAM-Technologie bislang kleinsten bekannten Strukturen. Diese kleinen Strukturen haben IBM und Infineon erlaubt, eine extrem kleine MRAM-Speicherzelle von nur 1,4 Quadrat-Mikrometer zu erzeugen.
Als eine Speichertechnologie, die die Informationen (Daten-Bits) nicht in Form von elektrischen, sondern magnetischen Ladungselementen speichert, ist die MRAM-Technologie prädestiniert für mobile Computing-Produkte, die mehr Informationen bei schnellerem Zugriff und weniger Leistungsaufnahme speichern könnten. MRAMs vereinigen die bekannten Vorteile von heute eingesetzten Speichern: die Speicherkapazität und die niedrigen Kosten von DRAMs, die hohe Geschwindigkeit von SRAMs und die Nichtflüchtigkeit von Flash-Speichern. Da MRAMs die gespeicherten Daten auch nach dem Abschalten der Versorgungsspannung behalten, könnten Produkte wie PCs sofort nach dem Einschalten betriebsbereit sein, ohne auf das Booten durch Software warten zu müssen.
Die Arbeiten von IBM an MRAMs ergänzen die andauernde Entwicklung fortschrittlicher Embedded-DRAM-Technologien, die bereits kommerziell verfügbar sind und Vorteile gegenüber herkömmlichen SRAMs bieten.
Zusatzinformationen zu diesem Bild:
An image of the layers involved in an MRAM storage device.
BU:
RUBRIK: Forschung Technologie Fertigung
PRODUKTFAMILIE: Microelectronics
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FORMAT: Quer
ORIGINAL: Digital
BILDRECHTE: IBM
BILDQUELLE: IBM Research
EINGABE: Häßler
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