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DTXT_TITLE: Der Welt kleinster Transistor, Experimenteller Transistor zu Herstellung von Speicherchips (6/1992) DOC_TYPE: Image ARCHIV: 1000 FIL_ID: 1059583 FIL_ORG: 002301_2.jpg FIL_EXT: jff FIL_WIDTH: 3720 FIL_HEIGHT: 2480 FIL_RES: 72 FIL_SIZE: 6370415 FIL_COLOR: RGB FIL_ROTATE: FIL_CLIP: FIL_CROP: FIL_IMG: 002301 FIL_PATH: Box_05/CD_057/IBM/SCSHIGH/00/00/02 DOC_SPERRVERMERK: DOC_INPUT: 15-05-1995 00:00:00 DOC_UPDATE: 30-07-2004 15:57:57 DOC_STATUS: 2 DOC_KATALOG: 1 DOC_SPERR: 3 BESCHREIBUNG: Gerade ein 75tausendstel des Querschnitts eines menschlichen Haars nimmt der aktive Bereich der kleinsten Transistoren der Welt ein, deren Herstellung Wissenschaftlern am Thomas J. Watson Forschungszentrum der IBM in Yorktown Heights, New York, gelungen ist. Bisher benötigte der kleinste existierende Transistor 20mal mehr an Fläche. Die Verkleinerung wurde durch die Einbeziehung der dritten Dimension in die Auslegung der Bauteilstruktur möglich. Die Größe der experimentellen Transistoren könnte zu Beginn des nächsten Jahrtausends die Herstellung von Speicherchips im Bereich von 4 Gigabit und darüber ermöglichen. Der aktive Bereich des Transisitors hat die Abmessung von nur 700 nm x 150 nm und ist von einem 150-nm-breiten Isolationsgraben umgeben (nm = Nanometer). Innerhalb dieser Struktur befindet sich eine Gate-Elektrode mit einer Länge von 100 nm und einer Breite von 150 nm. Quellen-, Senken und Gate-Kontakte haben die Abmessung von 150 nm x 200 nm. Der Abstand zwischen den 200-nm-breiten metallischen Leiterbahnen beträgt nur 100 nm. Die Herstellungstoleranzen zwischen den einzelnen Ebenen mussten besser als 25 nm für alle Ebenen sein. BU: RUBRIK: Forschung Technologie Fertigung BILDART: Makroaufnahme BILDRECHTE: IBM IBM_NUMMER: 02037 FARBE: farbig ORIGINAL: Kleinbilddia PRODUKTFAMILIE: Sonstiges FORMAT: Quer EXPORTPATH: 6/images/1059583.jff |
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