Bildergalerie: Description 50768244 in Directory 27

IBM <>

DTXT_TITLE: IBM Transistor mit SSDOI-Technologie (2003)
DOC_TYPE: Image
ARCHIV: 1000
FIL_ID: 50768244
FIL_ORG: 82658.tif
FIL_EXT: tif
FIL_WIDTH: 3000
FIL_HEIGHT: 2025
FIL_RES: 300
FIL_SIZE: 6241884
FIL_COLOR: RGB
FIL_ROTATE:
FIL_CLIP:
FIL_CROP:
FIL_IMG:
FIL_PATH:
DOC_SPERRVERMERK:
DOC_INPUT: 18-09-2003 12:05:19
DOC_UPDATE:
DOC_STATUS: 1
DOC_KATALOG: 1
DOC_SPERR: 1
BESCHREIBUNG: Ob Handy oder PDA, alles soll in der mobilen Gesellschaft möglichst in die Hosentasche passen. Auch Bauelemente wie Mikrochips müssen deshalb schrumpfen. Irgendwann ist jedoch nach Moores Gesetzen die Grenze der physikalischen Möglichkeiten erreicht. IBM hat aus diesem Grund den ersten Transistor entwickelt, bei dem gestrecktes Silizium direkt auf der Isolationsschicht verwendet wird (SSDOI - strained silicon directly on insulator). Hierbei wurden Herstellungsschwierigkeiten bei den herkömmlichen Verfahrenswegen umgangen. Die neue Technologie ermöglicht einen schnelleren Elektronenfluss und eine bessere Materialverarbeitung bei der Chipherstellung. Zudem verbessert sich die CMOS-Leistung, indem die Beweglichkeit der positiven Ladung (bzw. der "Löcher" als Gegenpart zu den negativen Elektronen) auf dem Chip optimiert wird. Die Leistung steigt damit um 40 bis 65 Prozent bei nur geringfügig höheren Herstellungskosten. Herstellung der SSDOI-Strukturen: Zuerst wird schichtweise gestrecktes Silizium auf eine entspannte Silizium-Germanium-Schicht aufgebracht. Obenauf befindet sich zudem eine Oxid-Schicht. Anschließend wird der Silizium-Germanium-Schicht Wasserstoff zugeführt, der Wafer wird umgedreht und mit einem Trägermaterial verbunden. Durch hohe Temperaturen wird der Großteil des ursprünglichen Wafers abgespalten, so dass nur noch das gestreckte Silizium und die Silizium-Germanium-Schicht auf der Oxid-Schicht bleiben. Das Silizium-Germanium wird entfernt, so dass im Anschluss die Transistoren auf dem verbleibenden ultradünnen gestreckten Silizium gefertigt werden. Bild: Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) devices on a hybrid orientation substrate
BU:
RUBRIK: Forschung Technologie Fertigung
BILDART: Makroaufnahme
IBM_NUMMER: 82658
FARBE: farbig
FORMAT: Quadratisch
BILDRECHTE: IBM
BILDQUELLE: IBM Research
EINGABE: Häßler
EXPORTPATH: 27/images/50768244.tif

Zum Vergrößern auf das Bild klicken