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DTXT_TITLE: Ram Krithivasan, Student des Georgia Institute of Technology, untersucht einen "gefrorenen" Silizium-Germanium-Chip in einem Versuchsaufbau des Georgia Elektronik Design Center in Atlanta, Georgia, USA (2006)
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BESCHREIBUNG: Forscher der IBM und des Georgia Institute of Technology haben den ersten Silizium-basierten Chip vorgeführt, der in der Lage war, bei Frequenzen oberhalb von 500 GigaHertz (GHz), das entspricht 500 Milliarden Taktzyklen pro Sekunde, zu arbeiten. Dabei wurde der Chip tiefgefroren auf 4,5 Kelvin (circa Minus 268,5 Grad Celsius), eine Temperatur nahe dem absoluten Temperaturnullpunkt. Solche extrem kalten Temperaturen herrschen in der Natur nur im Weltraum, können aber auf der Erde künstlich erzeugt werden durch ultra-tiefgekühlte Materialien wie flüssiges Helium. Die Experimente, die gemeinsam von IBM und Georgia Tech-Wissenschaftlern durchgeführt worden sind, sind Teil eines Projekts, die Geschwindigkeitsgrenzen von Silizium-Germanium-Geräten auszuloten, die bei sehr kalten Temperaturen schneller funktionieren. Die Chips, die in diesem Forschungsprojekt eingesetzt werden, stammen von der Prototypen-SiGe-Technologie vierter Generation, die von IBM auf 200-Millimeter-Wafern gefertigt werden. Bei Raumtemperatur laufen diese derzeit bei circa 350 GHz. "Diese bahnbrechende gemeinsame Forschung von Georgia Tech und IBM definiert die Leistungsgrenze von Silizium-basierten Halbleitern neu", sagt Bernie Meyerson, Vice President und Chief Technologist der IBM Systems and Technology Group.
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RUBRIK: Forschung Technologie Fertigung
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EINGABE: Häßler
STICHWORTE: Chips, SiGe, Silicon
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