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Infografik <>
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DTXT_TITLE: Infografik zur High-K-Technologie (2007) DOC_TYPE: Image ARCHIV: 1000 FIL_ID: 50835993 FIL_ORG: 86451.jpg FIL_EXT: jpg FIL_WIDTH: 397 FIL_HEIGHT: 221 FIL_RES: 72 FIL_SIZE: 54842 FIL_COLOR: RGB FIL_ROTATE: FIL_CLIP: FIL_CROP: FIL_IMG: FIL_PATH: DOC_SPERRVERMERK: DOC_INPUT: 09-02-2007 13:45:24 DOC_UPDATE: 14-02-2007 12:11:47 DOC_STATUS: 1 DOC_KATALOG: 1 DOC_SPERR: 1 BESCHREIBUNG: IBM gab am 27.1.2007 bekannt, eine langersehnte Verbesserung für den Transistor entwickelt zu haben. Die Technologie, genannt "high-k metal gate", bringt ein neues Material in einen wichtigen Bestandteil des Transistors ein, der die primäre Ein/Aus-Schalterfunktion steuert. Das Material bietet überlegene elektrische Eigenschaften im Vergleich zu seinem Vorgänger und verbessert die Transistorleistung. Gleichzeitig können die Dimensionen des Transistors weiter verkleinert werden. Der Einsatz des neuen Materials kann es der Chipindustrie ermöglichen, weiter auf dem als "Mooresches Gesetz" bekannten Weg voranzuschreiten - dem Axiom der Chip-Industrie, das eine Verdopplung der Anzahl der Transistoren auf einem Chip alle 12 bis 18 Monate und damit eine entsprechende Erhöhung der Chipleistung und -funktionen voraussagt. Genauso wichtig wie das neue Material selbst ist die Methode, wie es in gegenwärtigen Herstellungstechnologien eingeführt werden kann. Die Schaffung der neuen Transistorkomponente mit dem neuen Material wurde vom IBM Team ohne grössere Veränderungen bei Produktionsanlagen und -prozessen erreicht - ein wesentliches Element, damit die neue Technologie betriebswirtschaftlich einsetzbar wird. Im Bild: HRTEM view of an epitaxial SrTiO3 film grown on Si(100). BU: RUBRIK: Forschung Technologie Fertigung BILDART: Infografik STICHWORTE: Transistor, CMOS-Technologie IBM_NUMMER: 8645 FARBE: farbig FORMAT: Quer BILDRECHTE: IBM BILDQUELLE: www.zurich.ibm.com/st/semiconductors/highk.html EINGABE: Häßler ORIGINAL: Digital EXPORTPATH: 30/images/50835993.jpg |
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