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On-Chip <>
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DTXT_TITLE: On-Chip Dynamic Memory Technology (2007) DOC_TYPE: Image ARCHIV: 1000 FIL_ID: 50836081 FIL_ORG: 86458.jpg FIL_EXT: jpg FIL_WIDTH: 1654 FIL_HEIGHT: 1103 FIL_RES: 300 FIL_SIZE: 439053 FIL_COLOR: RGB FIL_ROTATE: FIL_CLIP: FIL_CROP: FIL_IMG: FIL_PATH: DOC_SPERRVERMERK: DOC_INPUT: 14-02-2007 14:16:11 DOC_UPDATE: 28-07-2008 15:47:33 DOC_STATUS: 1 DOC_KATALOG: 1 DOC_SPERR: 1 BESCHREIBUNG: IBM stellt weltweit schnellste dynamische On-Chip-Hauptspeichertechnologie vor. Durchbruch bei System-on-a-chip-Design beschleunigt Multi-Core-, Grafik- und Netzwerkleistung bei gleichzeitig geringerem Energieverbrauch Die IBM hat am 14. Februar 2007 auf der International Solid State Circuits Conference (ISSCC) Papiere vorgestellt, in denen eine neuartige, erstmalig gezeigte On-Chip-Hauptspeichertechnologie skizziert wird, die die schnellsten Zugriffszeiten bieten kann, die jemals bei eDRAM (embedded dynamic random access memory) erreicht worden sind. Diese neue Technologie wurde unter Einsatz von IBMs Silicon-on-Insulator-(SOI-)Verfahren entwickelt und verbessert die Mikroprozessorleistung in Multicore-Designs dramatisch. Sie beschleunigt die Grafikleistung bei Gaming, Networking und anderen bildintensiven Multimediaanwendungen. Es wird erwartet, daß die Technologie ein Schlüsselmerkmal der IBM 45-Nanometer-Prozessor-Roadmap sein wird und voraussichtlich ab 2008 verfügbar werden wird. Hintergrund bzw. nähere Informationen: In papers presented at the International Solid State Circuits Conference (ISSCC) on Feb,14. 2007 IBM revealed a first-of-its-kind, on-chip memory technology that features the fastest access times ever recorded in eDRAM (embedded dynamic random access memory). This new technology, designed using IBM\'s Silicon-on-Insulator (SOI) for high-performance at low power, vastly improves microprocessor performance in multi-core designs and speeds the movement of graphics in gaming, networking, and other image intensive, multi-media applications. The technology is expected to be a key feature of IBM's 45nm (nanometer) microprocessor roadmap and will become available beginning in 2008. IBM's new eDRAM technology, designed in stress-enabled 65nm SOI using deep trench, dramatically improves on-processor memory performance in about one-third the space with one-fifth the standby power of conventional SRAM (static random access memory). Image: This prototype eDRAM, or Embedded Dynamic Random Access Memory chip, contains over 12 million bits and high-performance logic. It will be available in IBM products beginning next year. http://www-03.ibm.com/press/us/en/pressrelease/21074.wss BU: RUBRIK: Forschung Technologie Fertigung PRODUKTFAMILIE: Microelectronics BILDART: Innenaufnahme STICHWORTE: speicherchip, Logikchip, Nanometer, Chip, Chips, System-on-a-Chip Design, Mikroprozessor, IBM_NUMMER: 86458 FARBE: farbig FORMAT: Quer ORIGINAL: Digital BILDRECHTE: IBM BILDQUELLE: IBM Pressroom USA EINGABE: Häßler EXPORTPATH: 30/images/50836081.jpg |
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