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High-K <>
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DTXT_TITLE: High-K / Metal Gate Allianz-Team (2007) DOC_TYPE: Image ARCHIV: 1000 FIL_ID: 50865028 FIL_ORG: 88341.jpg FIL_EXT: jpg FIL_WIDTH: 661 FIL_HEIGHT: 447 FIL_RES: 72 FIL_SIZE: 284543 FIL_COLOR: RGB FIL_ROTATE: FIL_CLIP: FIL_CROP: FIL_IMG: FIL_PATH: DOC_SPERRVERMERK: DOC_INPUT: 20-12-2007 13:31:36 DOC_UPDATE: 20-12-2007 14:09:20 DOC_STATUS: 1 DOC_KATALOG: 1 DOC_SPERR: 1 BESCHREIBUNG: Eine Allianz von High-Technologie-Unternehmen, angeführt von der IBM mit Sitz in East Fishkill, New York, hat einmal mehr Barrieren zur nächsten Generation in der Chip-Technologie durchbrochen. Auf dem Foto von rechts nach links: Craig Lage, Projektleiter: Freescale, An Steegen, Projektmanager, 32nm Bulk Technology, IBM (sitzend, links), John Pellerin, Projektleiter: AMD, Ja-Hum Ku, Projektleiter: Samsung, John Sudijono, Projektleiter: Chartered (sitzend, Mitte), Mukesh Khare, Projektmanager: High-K/Metal Gate Technology, IBM, Richard Lindsay, Projektleiter: Infineon, Effendi Leobandung, Projekt Manager: 32nm SOI Technology, IBM (rechts sitzend). Hintergrund: Die Technologie, genannt "high-k metal gate", bringt ein neues Material in einen wichtigen Bestandteil des Transistors ein, der die primäre Ein/Aus-Schalterfunktion steuert. Das Material bietet überlegene elektrische Eigenschaften im Vergleich zu seinem Vorgänger und verbessert die Transistorleistung. Gleichzeitig können die Dimensionen des Transistors weiter verkleinert werden. Der Einsatz des neuen Materials kann es der Chipindustrie ermöglichen, weiter auf dem als "Mooresches Gesetz" bekannten Weg voranzuschreiten - dem Axiom der Chip-Industrie, das eine Verdopplung der Anzahl der Transistoren auf einem Chip alle 12 bis 18 Monate und damit eine entsprechende Erhöhung der Chipleistung und -funktionen voraussagt. Genauso wichtig wie das neue Material selbst ist die Methode, wie es in gegenwärtigen Herstellungstechnologien eingeführt werden kann. Die Schaffung der neuen Transistorkomponente mit dem neuen Material wurde vom IBM Team ohne grössere Veränderungen bei Produktionsanlagen und -prozessen erreicht - ein wesentliches Element, damit die neue Technologie betriebswirtschaftlich einsetzbar wird. Weitere Informationen auch unter: http://www-03.ibm.com/press/us/en/pressrelease/22858.wss BU: RUBRIK: Forschung Technologie Fertigung PRODUKTFAMILIE: Microelectronics BILDART: Studioaufnahme STICHWORTE: SRAM, Nanometer, Chip, Chips, Mikrochip, Speicherchip IBM_NUMMER: 88341 FARBE: farbig FORMAT: Quer ORIGINAL: Digital BILDRECHTE: IBM BILDQUELLE: IBM Pressroom USA, Photo Gallery, 10.12.2007 EINGABE: Dentz EXPORTPATH: 32/images/50865028.jpg |
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