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DTXT_TITLE: IBM Supercomputer-Simulation von Hafnium-Dioxid für Siliziumtransistoren (2007)
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BESCHREIBUNG: IBM Supercomputer-Simulationen unterstützen Durchbruch bei Chipentwicklung. Supercomputereinsatz zur Verbesserung von Computern - Simulationen zur neuen High-k-Metal-Gate-Technologie. IBM Forscher im IBM Labor in Zürich haben am 26. Februar 2007 einen wichtigen Fortschritt in computerbasierten Simulationen vorgestellt: Mit dieser Neuvorstellung können Chiptechnologien auf neue Leistungs- und Funktionalitätshöhen gebracht werden. Wie in einem Beitrag im wissenschaftlichen Magazin Physical Review Letters bekannt gegeben, hat ein Forscherteam im Zürcher IBM Forschungslabor erstmals fortschrittliche supercomputerbasierte Modelle eingesetzt, um das komplexe Verhalten eines neuen Materials - Hafnium-Dioxid - in Siliziumtransistoren, den fundamentalen Bausteinen von Computerchips, besser zu verstehen und zu beherrschen. Das neue Material ist ein Schlüssel zur jüngst vorgestellten "High-k-Metal-Gate-Technologie", der ersten größeren Veränderung am Transistor seit den Silizium-Halbleitern, mit vielversprechenden Möglichkeiten für gesteigerte Chipleistung zum Nutzen von Computern und anderen elektronischen Systemen. IBM plant, die Technologie ab dem Jahr 2008 zu verwenden und bei ihren Produkten einzusetzen. Bild: Die Abbildung zeigt ein kleineres, typisches Hafnium-Silizium-Modell mit etwa 300 Atomen. Die Bälle stellen die Atome dar (Silizium in Orange, Hafnium in Blau und Oxid in Rot), die Stäbe die chemischen Verbindungen.
BU:
RUBRIK: Forschung Technologie Fertigung
PRODUKTFAMILIE: Sonstiges
BILDART: Makroaufnahme
STICHWORTE: Halbleiter, Simulaton, Chip, Computerchip, Zürich, Forschungslabor
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FARBE: farbig
FORMAT: Quadratisch
ORIGINAL: Digital
BILDRECHTE: IBM
BILDQUELLE: https://www.zurich.ibm.com/news/07/hpc.html
EINGABE: Dentz
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