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32nm  <>

DTXT_TITLE: 32nm High-K Metal Gate Wafer (2008) DOC_TYPE: Image ARCHIV: 1000 FIL_ID: 50877937 FIL_ORG: 88840.tif FIL_EXT: tif FIL_WIDTH: 1350 FIL_HEIGHT: 1604 FIL_RES: 300 FIL_SIZE: 6504202 FIL_COLOR: RGB FIL_ROTATE: FIL_CLIP: FIL_CROP: FIL_IMG: FIL_PATH: DOC_SPERRVERMERK: DOC_INPUT: 02-07-2008 11:07:41 DOC_UPDATE: 22-08-2008 10:26:16 DOC_STATUS: 1 DOC_KATALOG: 1 DOC_SPERR: 1 BESCHREIBUNG: Bild: 32nm High-K Metal Gate Wafer. Der neue 32nm-SRAM-Chip mit High-K/Metal Gate. Die weltweit kleinste SRAM-Zelle nutzt den High-K/Metal Gate, der kleiner ist als 0,15 Mikrometer (SRAM = Static Random Access Memory). Hintergrundinformationen: SRAM-Chips bilden die Vorstufe von komplexeren Einheiten wie Mikroprozessoren. Die SRAM-Cell basiert dabei auf einem konventionellen 6-Transistor-Design und hat eine Fläche von 0.1 Quadratmikrometern. Damit unterschreitet die Cell alle bisherigen SRAM-Grössengrenzen. Ein Nanometer entspricht einem Milliardstel Meter oder einem achtzigtausendstel der Breite eines Haares. Die 22-nm-Größenordnung wird voraussichtlich erst in zwei Chip-Generationen fallen. IBM arbeitet zusammen mit seinen Partnern gerade an der Entwicklung der 32-nm- High-K-Metal-Gate-Technologie. Normalerweise wird die Verkleinerung eines SRAM-Chips durch die Verkleinerung der zentralen Baueinheit erreicht, die oft auch als Zelle bezeichnet wird. Forscher der Gruppe um die IBM Allianz haben das SRAM-Zellen-Design und das umgebende Schaltkreis-Layout optimiert, um die Stabilität zu verbessern. Zusätzlich haben sie verschiedene neue Herstellungsprozesse entwickelt, die den Weg für die neue SRAM-Zelle ebnen sollen. Die Forscher haben dabei High-NA-Immersionslithographie verwendet, um die Pattern-Dimensionen und -Dichten zu übertragen und die Einzelteile dann in der 300mm-Halbleiter-Forschungsumgebung fabriziert. Die Größe einer SRAM-Zelle bildet einen wichtigen Maßstab in der Halbleiterindustrie und die aktuelle Forschungsarbeit zeigt, dass IBM und seine Forschungspartner im Bereich der Entwicklung von neuer Prozesstechnologie weiter an der Spitze liegen. Zu den verwendeten Technologien in der SRAM-Zelle zählen High-K-Metal-Gate-Stacks, Transistoren mit weniger als 25 nm an Gatelänge, dünne Abstandshalter, neuartige Co-Implantate, verbesserte Aktivierungstechniken, sehr dünne Silizide und speziell bearbeitete Kupferkontakte. Weitere Informationen unter: http://www-05.ibm.com/de/pressroom/presseinfos/2008/08/19_2.html BU: RUBRIK: Forschung Technologie Fertigung PRODUKTFAMILIE: Microelectronics BILDART: Sachaufnahme STICHWORTE: Microelectronics, 32nm wafer, wafer, 32nm, Common Platform, gate-first, semiconductor, JDA, joint development alliance, HKMG, Nanometer, 32 nm, Chip, Chips, Mikrochip, Speicherchip IBM_NUMMER: 88840 FARBE: farbig FORMAT: Hoch ORIGINAL: Digital BILDRECHTE: IBM BILDQUELLE: https://217.28.160.76:9090/index.jsp; Bild: 32NMWAFR-06 EINGABE: Dentz EXPORTPATH: 33/images/50877937.tif

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